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第83章 大丰收（第3页）

【3DNAND（多层数存储的闪存类型）——g架构专利技术，品质：优秀（A级），可下载。

】

竟然还有隐藏奖励。

莫燃微微一愣，随即注意力转移到眼前的两个奖励上来。

不过，看到第一个奖励时他情不自禁的摇头笑了笑。

竟然奖励了一个TF内存卡的生产图纸。

他是知道的，最近因为“尼采X1”

的出现，网络上引起了不少关于TF内存卡的争论。

而“尼采X1”

作为一款“可扩展TF内存卡”

的手机，自然被卷入这场旋涡，成为TF内存卡的代言人。

甚至，这些天他也在考虑要不要出厂时每部手机赠送一块内存卡。

没想到现在系统竟然给了他一份TF内存卡的生产图纸，这难道是在预示着让尼采进军TF内存卡界？

自产自销？

倒也不是不可以。

略微感慨的笑了笑，不过等他看到第二个奖励时，有些懵了。

首先。

3D-NAND是什么？

莫燃也没着急，随即退出系统在网络上搜索了一下。

原来。

3D-NAND是一种新兴的闪存类型（存储类型）。

传统的内存卡大多是使用2D-NAND的方式，也就是通过2D平面的方式将内存颗粒有序排列，最终制造生产成为一张张比如2GB、4GB、8GB的内存卡。

2D平面结构的设计导致空间比较小，内存卡的储存容量也就相应比较小，经过这么多年研发后2D-NAND方案已经基本达到了扩展极限。

而3D-NAND则不同了。

简单的说。

3D-NAND是一种全新的闪存设计理念，将以前的2D平面设计变成3D设计，从而可以在平面上不断的增加层数、增加内存晶片的数量，从而制造出更大容量的内存卡。

就好比以前的2D是一栋栋小平房，

现在的3D则是在小平房上盖起三四十楼的高楼大厦一样，储存的容量加大，读写速度加快、耐用性大幅度提高，甚至，每千兆字节的成本也大幅下降。

最令莫燃惊喜的是，

放眼全球，

“3D-NAND”

闪存设计也就仅仅只有三星电子、英特尔和全球最大的半导体储存制造商——镁光有一点点成果！

而国内！

“3D-NAND”

新一代闪存芯片完全是一片空白！