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第四百二十九章 预热（第1页）

没有管台下反应，这次来ISSCC大会，还在美国佬的地盘砸场子，直接摆明车马要怼美国半导体行业巨人英特尔公司，质疑人家行业顶级大佬所留下的金科玉律，而且还是经受住了时间考验的那种。

嗯.....

这美国人要是还能稳住，那绝对不可能，所以倪光南总工也早有准备，直接不理会其它，继续埋头演讲，不给其他人说话的机会，有啥事儿，你们都给我憋着。

要说这种情况吧，倒是跟几十年后大学老师在台上讲课，然后台下众多学生各种千奇百怪姿势很一样，但老师却内心毫无波动，甚至还能倒背圆周率，更兼计划回头应该给那些学生挂科。

继续不急不缓地演讲，整个过程给人感觉是情感上毫无波澜，绝对是那种没看过《演讲与口才》的业余讲师。

“当价格不变时，在单位面积的集成电路上可容纳元器件数目，每隔18-24个月便会增加一倍，这是英特尔公司的戈登摩尔博士所提出，并且根据前二十年的半导体集成电路行业发展情况看，似乎也完美印证此处，甚至我们再往后三十年，也同样还能继续维持下去。”

先来个小小地吹捧，类似欲扬先抑的反套路使用，不过这种效果却往往都能起到不错的作用，所以不该少的是一样都不能少。

“现在主流的半导体工艺已经过度到0.5微米，各大公司都在攻克0.35微米工艺技术。

那我说一个问题，半导体工艺技术是否能够持续保证每两年更新换代一次，这个问题可能有人说可以随着时间的发展而解决，但在我看来，就目前传统光刻机技术路线而言，十年之内想要突破0.1微米是很困难。”

十年之内，也就是在2000年左右让光刻机突破0.1微米，以欧美这些科研人员来做，好像全都是走干式光刻机台路子，这难度还真不是一般的大。

真正让光刻机突破微米为单位的时代，实际还是位华裔人士：林本坚。

这位大佬在IBM工作的1970到1992年之间，那是带领团队先后完成1微米、0.75微米、0.5微米光刻工艺发展攻关，每一步跃进在当时都是引领产业界最前沿，属于当时最顶级的工艺技术。

而产业界一直要使用好几十年的“深紫外线光源”

技术，则是这位大佬在1975年所做出，在当时是光刻技术最短波长的光线。

能够带领IBM公司的光刻工艺制程团队攻坚的人物，全球范围之内，敢说专精于此项技术的绝不超过十人，林本坚则是在这排名当中很靠前的神级人物。

在上位面，也是在1992年，这位选择加入台积电，用他当时所掌握的世界最前沿工艺制程技术带着台电一路发展壮大，并依靠独门绝学“侵润式光刻技术”

带领台电实现三级跳，在2000年之后，最终成为世界最顶级的半导体集成电路代工厂。

那么现在这位面就不一样了，诸如台电这种单位，它比起更加金光闪闪的开阳半导体来说，简直就是弱鸡好不好。

还更不用说IBM公司本就和开阳半导体算是一条战壕里面，关于开阳半导体公司的大致情况，林本坚所知还真不要太少，在听说开阳方面卡在了0.5微米工艺时候，便主动提出可以提供技术方面的咨询。

如此直白地表达，开阳那边要是还感觉不出来，虞有澄这CEO也差不多可以直接下课算了。

在经过短暂了解过后，看到虞有澄这个前任英特尔公司微处理器产品部门大总管直接当上开阳半导体的CEO，而这两位实际也都是从IBM-PC时代过来的老朋友了，现在也是没的说，一起干！

按照汪正国同虞有澄、林本坚，还有包括国内刚扶持起来的两大光刻机厂商一起坐下来商量的结果，林本坚将全面负责开阳半导体生产工艺革新工作，名誉上是仅次于倪光南总工。

但就实际而言，林本坚、白斯文、孟怀英、倪光南，这四人地位其实都算同一层次。

再往下，则是另外一位负责半导体工艺中电路结构设计的梁孟松，他所从事研究工作属于半导体工艺当中更细分之后的部分，虽然很重要、很关键，但大体还是要归林本坚所管辖。

在半导体芯片设计方面，倪光南总工负责抓总体，白斯文教授做CMOS光学传感芯片、孟怀英做射频芯片，负责微处理器设计的人反而是巴基斯坦籍工程师：拉沙。

拉沙现在还没有做出创造性的技术，旁边梁孟松也是如此，所以这两人距离最顶尖四位大佬还差那么半级，以后只能慢慢等待时机到了之后，只要能搞出大新闻，自然能顺利晋升到第一梯队。

至于那些已经拉着自己的团队，不远万里从独联体国家拖家带口而来的苏联科研团队，这些人则是按计划各自建立团队。

开阳半导体发布了很多科研项目，这些苏联团队选择是否接手，要真决定做的话，就直接进驻科研大楼，各方面都对照国内科研团队同等待遇来。

如果不愿意接手，就只能再继续等着看，反正以开阳半导体的实力，要养活这些人还是没问题的，就算它们只吃干饭都没事，把这些高级人才养成猪、养废，也同样算是间接打击了其它同行得到这些人才的可能。

有了相对比较齐全的科研队伍配置，开阳半导体对高端人才的需求已经不是太大，但如果能够在ISSCC大会刷声望值。

嗯，好像也不错......

演讲台上的倪光南对半导体集成电路制程工艺表示有限悲观，这实际也不能算是完全没道理，甚至连英特尔公司的高级研究人员也指出：

当前这种主要依靠半导体工艺技术升级，从而实现不断增加晶体管数量，提升处理器性能的方式还并不稳定。

不过这位的论点是立足于未来芯片体积不断缩小，晶体管数量不断倍增，最终会带来处理器巨大的发热问题，导致芯片“热死亡”

。

平心而论，这位的警告是非常有前瞻性，在半导体生产工艺进入90纳米时代，发热问题急剧突出，直接导致开发商不得不人为给内部的晶体管电子运行速度设定上限的做法诞生，也就是这时候，产业界才逐渐放弃一味追求时钟频率的粗暴做法。

倪光南则是对半导体工艺设备产业的升级发展持悲观态度，从而来质疑摩尔定律的权威性。

芯片制造的过程不断趋于复杂，常常包含几百个步骤，而产品的快速升级则意味着材料供应商和设备供应商需要在对应的时间内同时完成产业升级，而在这上百个环节当中，只要有哪一个环节面临技术上的难题，这都会导致整体工艺革新被卡死。

顶级半导体集成电路加工工艺，实际就是人类不断地追求对物理材料极限加工，而这种寻求极限加工能力的做法，向来都是风险巨大。